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石墨烯薄膜的层数、晶体结构质量显著影响其光电特性,尽管对石墨烯的集中研究有近10年,不过在石墨烯科学与技术领域还存在很多挑战,包括表征技术、大面积高质量的石墨烯可控合成以及合成的专业设备技术.本次报告我们将介绍我们建立的基于俄歇电子谱的表征在任何衬底上合成的石墨烯薄膜的层数与结构的普适方法[1].