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SiGe HBT器件具有高频功率及噪声性能，本文基于先进的8英寸(200 mm)集成电路工艺生产线，通过Site HBT的工艺开发和器件设计，成功地自主开发了两款微波低噪声器件产品。文中介绍了微波低噪声SiGe HBT器件制备及性能。
微波低噪声SiGe HBT的研发
【摘 要】
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SiGe HBT器件具有高频功率及噪声性能，本文基于先进的8英寸(200 mm)集成电路工艺生产线，通过Site HBT的工艺开发和器件设计，成功地自主开发了两款微波低噪声器件产品。文中
【机 构】
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清华大学微电子学研究所 北京100084
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
【发表日期】
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2011年期
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