In0.17AlN在碱性溶液中化学湿法腐蚀行为研究

• 作 者: Xing Dong Feng Zhihong Wang Jingjing Liu Bo Yin Jiayun Fang Yulong 邢东 冯志红 王晶晶 刘波 尹甲云 房玉龙
• 机 构: Science and Technology on ASIC Laboratory,Shijiazhuang 050051,China
• 出 处: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
• 发表日期: 2011年期
• 关键词: 碱性溶液 化学 湿法腐蚀 腐蚀坑 扫描电子显微镜 原子力显微镜 半导体制造 形成缺陷

　　本文报道了In0.17Al0.83N在5wt％ KOH碱性溶液中的腐蚀行为研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察腐蚀样品，发现其腐蚀机理是源于晶体缺陷的腐蚀，在In0.17Al0.83N中形成缺陷腐蚀坑，同时暴露在腐蚀液中的腐蚀坑侧壁更容易受到腐蚀，造成了以侧向腐蚀为主的腐蚀.AFM和SEM观察到的大多数腐蚀坑是与InAlN晶体中的螺位错、刃位错有关.这种腐蚀方法适合在宽禁带半导体制造中以InAlN为牺牲层的工艺上应用.