自然氧化对MOCVD生长的In0.13Al0.87N外延层表面电子特性的影响

• 作 者: 周伟[1]夏素静[1]李祥[1]阳杰[1]唐武[1]冯志红[2]
• 机 构: 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
• 出 处: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
• 发表日期: 2011年期

　　由于InAlN材料在微电子领域的发展,有必要研究其表面电子结构.利用X射线光电子能谱(XPS)和微曲Raman谱,研究了未掺杂的In0a3Al0.87N外延层的表面电子特性与势垒厚度的关系.XPS证实了In0.13Al0.87N表面存在自然氧化物。在厚In0.13Al0.87N外延层中，没有观测到L+模，可能是由于样品表面较少的自然氧化物，电子浓度较低。在最薄的样品中，较多的自然氧化物增加了电子浓度，在Ramsm谱中可以观测到L+模。结果表明，InA1N外延层的表面电子特性可能可以通过较薄IrtA1N薄膜的表面氧化进行修正。