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本文介绍了基于AlGaN/GaN HEMTs的Ku波段内匹配功率放大器的设计与分析。为了提高内匹配电路设计的精确度，本文从两方面对匹配电路的设计进行改进：1、改进内匹配电路匹配网络的原理图设计，减少寄生效应难以预测的元件的使用：2、改进电磁场的仿真方法，采用能够实现三维(3D)结构的EM仿真工具，对电路中的无源网络进行全电磁场仿真，更全面的分析各元件的寄生效应。