4H-SiC热导率的测试与分析

来源 :2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:luluzhangwei
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  本文研究了n型、V掺杂补偿(V-doped)半绝缘(SI)的4H-SiC晶体沿C轴方向的热导率温度的变化。采用激光闪光法(LFM)测量了SiC沿c轴方向的热扩散系数a(T),对比发现n型样品具羊高的热扩散系数。差热扫描量热法(DSC)测试了n型、V掺杂补偿半绝缘、高纯(high purity)4H-SiC体的比热容Cp(T)。对比发现高纯4H-SiC与V补偿半绝缘样品的比热容与温度变化趋势一致,大于n型4H-SiC的比热容,亦即高纯或高补偿SiC相对于n掺杂SiC具有更高的比热容。
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