论文部分内容阅读
采用氧氮共注的方法制备了SIMON圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并进行了埋层结构与抗辐射性能的机理分析.结果表明,注氮剂量较低时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质存在很密切的关系,埋层的绝缘性能和埋层中的断键是提高器件抗辐射效应的关键因素.
氧氮共注SOI材料结构与注氮剂量研究
【摘 要】
：
采用氧氮共注的方法制备了SIMON圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并进行了埋层结构与抗辐射性能的机理分析.结果表明,注氮剂量较低时埋层质量较好.机理分
【机 构】
：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)
【出 处】
：
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
：
2003年期
其他文献
采样MOS开关的沟道电荷注入效应是影响模数转换器采样精度的重要因素之一,本文利用开关-电容结构的底板采样技术,通过对时钟的控制,有效消除了沟道电荷注入效应.
光刻技术一直是集成电路工业发展中的重要推动力,移相掩模是提高光刻分辨率的重要分辨率增强技术.本文对无铬相位光刻和有铬的常规混合移相掩模进行了初步研究,采用PROLITH8.
会议
本文采用一种异质结等效模型解释多晶硅RCA晶体管的高增益.将多晶硅与单晶硅之间的氧化硅等效为一宽禁带的介质层,由于势垒的作用限制了空穴由发射极单晶硅向发射极多晶硅的
用VHF-PECVD法沉积大面积硅基薄膜已经得到广泛的研究,其中主要的问题是均匀性,而影响大面积薄膜均匀性的主要原因是由于电极板电场分布的均匀性.本文主要介绍了影响电场分布
世界进入 2 1世纪的第一年 ,适值中国共产党80周年诞辰。回顾党走过的 80年光辉历程 ,展望党领导中国人民进行社会主义建设事业的美好前景 ,作为世界经济研究工作者 ,我们心
期刊
本文建立了SiGe pMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的准静态物理模型,讨论了器件结构中δ-掺杂层的杂质浓度与体征层厚度与空穴面密度的关系,以及栅压与空穴面密度的关系.最后,
本文采用带隙电压源的方法实现了一种为高精度数模转换器提供偏置的参考电流源.基本思想是使用半导体硅能带带隙特有的温度特性,产生一受外界温度影响较小的恒定电压,然后通
采用离子束辅助增强沉积系统(IBED)在SIMOX SOI顶层硅上生长氧化铪薄膜,随后分别采用O或N气氛下迅速退火以及N气氛下炉管退火,利用掠角X射线衍射技术(GAXRD)考察了退火对氧化
会议
为了解决微电子特别是MEMS(微电子机械系统)器件结构中的氮化硅薄膜的应力问题,本文采用了离子注入的方法来获得低应力的氮化硅,分别比较了不同注入的离子(B离子和P离子)的注
会议