无铬相位光刻和有铬的常规混合移相掩模制作70nm光刻栅图形的模拟研究

• 作 者: 谢常青;刘明;陈宝钦;陈大鹏;康晓辉;陆晶;叶甜春;
• 机 构: 中国科学院微电子所(北京)
• 出 处: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
• 发表日期: 2003年期

光刻技术一直是集成电路工业发展中的重要推动力,移相掩模是提高光刻分辨率的重要分辨率增强技术.本文对无铬相位光刻和有铬的常规混合移相掩模进行了初步研究,采用PROLITH8.0光学光刻模拟软件,在ArF步进扫描光刻机、Quasar四极照明(离轴照明外相干因子为0.85,离轴照明内相干因子为0.55,四极照明开口角为30°)的条件下,成功模拟出70nm的典型栅光刻图形.