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4H-SiC MPS二极管反向恢复特性的仿真研究

来源 :第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：num184015922
【摘 要】
：
拥有PiN二极管高阻断电压、低漏电流和肖特基势垒二极管(SBD)小开启电压,大导通电流以及高开关速度的优点,具有很好的开关特性的碳化硅MPS(Merged PiN Schottky diodes)是最
【作 者】
：
苗永斌 张玉明 张义门 
【机 构】
：
西安电子科技大学微电子所
【出 处】
：
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
：
2003年12期
【关键词】
：
二极管 反向恢复 PiN 模拟分析 
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拥有PiN二极管高阻断电压、低漏电流和肖特基势垒二极管(SBD)小开启电压,大导通电流以及高开关速度的优点,具有很好的开关特性的碳化硅MPS(Merged PiN Schottky diodes)是最有希望的新一代功率开关二极管.本文重点对4H-SiC MPS的反向恢复特性进行了模拟分析,并与相应的4H-SiC PiN二极管比较,通过对器件各参数分析,提出了优化4H-SiC MPS二极管反向恢复特性的方法.
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