MOCVD制备MgZnO薄膜及其紫外光电探测器

来源 :第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wlszzj
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利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MsM)结构,实现了太阳盲MgZnO导弹羽焰光电探测器,在10V偏压下,器件的探测峰值位于250nm,截止边为273nm。已经从截止波长和覆盖波段上满足军事上的要求。
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