【摘 要】
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以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底上低温下成功了生长高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射,原子力显微镜,光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改
【机 构】
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中国科学技术大学物理系,合肥 230026
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底上低温下成功了生长高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射,原子力显微镜,光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度,载气流量及反应源的流量等参数研究了生长条件对溥膜性质的影响。研究结果表明,在温度500℃时薄膜的取向性和结品性能最佳,但发光性质小如200℃生长的样品。
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