【摘 要】
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氧化锌的p型掺杂是其器件化的关键问题。为解决这一难题,本文首次在实验上通过Ag-S共掺杂存Si基片上来制备出p型ZnO薄膜。XRD和SEM测试表明,所得样品为c轴高度取向,且表面平
【机 构】
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中国科学技术大学物理系 安徽 合肥 230026
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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氧化锌的p型掺杂是其器件化的关键问题。为解决这一难题,本文首次在实验上通过Ag-S共掺杂存Si基片上来制备出p型ZnO薄膜。XRD和SEM测试表明,所得样品为c轴高度取向,且表面平整致密的ZnO薄膜。XPS测试证实了Ag、S的有效掺入。
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