【摘 要】
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本文设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaNHEMT结构材料,用以提高沟道对二维电子气的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京 100083
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaNHEMT结构材料,用以提高沟道对二维电子气的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一AlNb插入层的生长时间对材料表而形貌和电学性能的影响,得到了最佳的AlNb生长时间介于：15s～20s之间。对AlNb生长时间为15s的样品进行了变温Hall测试,其二维电子气迁移率在80K时达8849cm2/Vs,室温下为1967cm2/Vs,面密度始终保持在1.02×1013 cm-2左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95％,说明双AlN插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。
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