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【摘 要】
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阐述了高压Trench IGBT结构设计、工艺设计。文中先提出了高压1 200 V的Trench IGBT器件的结构模型；然后仿真其电性能，根据仿真的结果；设计出高压Trench NPT IGBT的版图及工
【机 构】
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China Resources Huajing Micro Electronics Co.,Ltd.,Wuxi,214061,China
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
【发表日期】
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2011年期
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