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来源 :2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
本文介绍一种高亮度GaN基蓝光LED芯片,首先研究其光电特性,通过测量I-Ⅴ曲线判定该芯片的良好二极管特性,在电流大于100 mA时即呈现串联电阻性.当通入不同强度大小的电流
【作 者】
:
YuFeng[1]于峰[2]PengLu[1]彭璐[2]LiuYan[1]刘岩[2]SunDaoyuan[1]孙道远[2]LiuCunzhi[1]刘存志[2]
【机 构】
:
Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd.,Weifang 261061,China
【出 处】
:
2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
【发表日期】
:
2011年期
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