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采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术制备InN薄膜。为了缓解晶格失配所带来的应力及非故意生成的多晶层影响，在衬底和低温InN缓冲层之间加入一层不同厚度的金属In插入层，并研究其带来的影响。
In插入层对InN薄膜MBE外延质量的影响
【摘 要】
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采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术制备InN薄膜。为了缓解晶格失配所带来的应力及非故意生成的多晶层影响，在衬底和低温InN缓冲层之间加入一层不同厚度的金属In插入
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春,130012大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连,116024
【出 处】
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第十八届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2011年8期
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