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由于InN的发光波长可以延伸到长波长通讯波段，使得InN材料在光纤通讯系统中使用的激光器和光二极管上具有潜在的应用价值，有可能为光通信器件的发展带来新的突破。在MOCVD制备的p型GaN衬底上，采用RF-MBE方法生长了未掺杂的InN单晶薄膜。并对其物理性能进行了研究。
n-InNp-GaN发光二极管的电致发光
【摘 要】
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由于InN的发光波长可以延伸到长波长通讯波段，使得InN材料在光纤通讯系统中使用的激光器和光二极管上具有潜在的应用价值，有可能为光通信器件的发展带来新的突破。在MOCVD
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春,130012大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连,116024
【出 处】
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第十八届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2011年8期
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