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本文通过使用变温电流-电压、变频电容-电压和霍尔测量，系统地研究了热氧化对晶格匹配的In0.18Al0.82N/GaN异质结构上Ni/Au肖特基接触的电学性质的影响。
热氧化对In0.18Al0.82NGaN异质结构上NiAu肖特基接触反向漏电流的影响
【摘 要】
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本文通过使用变温电流-电压、变频电容-电压和霍尔测量，系统地研究了热氧化对晶格匹配的In0.18Al0.82N/GaN异质结构上Ni/Au肖特基接触的电学性质的影响。
【机 构】
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北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,中国,北京,100871中国科学院微电子研究所,中国,北京,100029
【出 处】
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第十八届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2011年8期
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