【摘 要】
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SIN-Sic材料具有强工大、导热率高、导电率小、抗氧化及冰晶石侵蚀能力强等优点。近年来随着炼铝技术的提高,作为传统侧墙材料的碳砖及墨化碳砖已不能满足炼铝技术的要求。越
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SI<,3>N<,4>-Sic材料具有强工大、导热率高、导电率小、抗氧化及冰晶石侵蚀能力强等优点。近年来随着炼铝技术的提高,作为传统侧墙材料的碳砖及墨化碳砖已不能满足炼铝技术的要求。越来越多的铝厂开始应用SI<,3>N<,4>-Sic砖砌筑电解槽侧墙壁。该文系统地介绍了SI<,3>N<,4>-SIc材料的性能,分析了砖的尺寸对其性能的影响,并对设计侧墙用砖的尺寸选择提出了建议。
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该文主要研究了分散剂PC不同添加量对氮化硅料浆的流动性能和坯体密度的影响。实验结果表明,分散剂PC对氮化硅有明显的吸附和分散作用,适宜的分散剂用量为0.75ml/100gSi3N〈,4〉。在此基础上,选取适宜
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论述了制备化硅基陶瓷材料及靶板采用的工艺及方法,介绍了抗穿甲试验的方法和过程。
研究了纳米SiN颗粒增加Al基复合材料的室温力学性能及在537K、623K和673K的拉伸蠕变行为.1Vol℅SiN/Al纳米复合材料具有与15Vol℅的微米SiC增强Al基复合材料相近的抗拉强度及
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对氮化硅无压烧结的工艺进行了初步研究,MgO和CeO作为烧结助剂有利于氮化硅的无压烧结过程,并提高其致密度,并分析了SiN粉末形貌及粒度分布与其制品性能之间的关系,讨论了各种工
以性能相近的α和β两种SiN粉体为原料,采用相似的工艺方法制备SiN材料。研究发现,在相同的热压条件下,α-SiN和β-SiN原料均可制备致密度较高的SiN材料,但α粉原料制得的材料致
该文利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布;由Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的SiN薄膜的表面特性。结果表明ECR-PECVD制备的氮化硅薄膜是