论文部分内容阅读
该文简要介绍了用于高温压力传感器制造的3C-SiC／Si外延生长的研制方法和研究结果。对与压力传感器研制有关的掺杂工艺、刻蚀工艺、金属化工艺和封装工艺进行了深入的研究。目前碳化硅高温压力传感器的研制工作正在进行之中。
碳化硅高温压力传感器初探
【摘 要】
：
该文简要介绍了用于高温压力传感器制造的3C-SiC／Si外延生长的研制方法和研究结果。对与压力传感器研制有关的掺杂工艺、刻蚀工艺、金属化工艺和封装工艺进行了深入的研究。目
【机 构】
：
电子科技大学微电子所
【出 处】
：
中国电子学会'98敏感技术学术年会
【发表日期】
：
1998年期
其他文献
该文通过测定Sialon结合刚玉耐火材料的热稳定性发现其三点抗折强度在800℃经冷水（15℃〕淬冷10次以后仍保持在110MPa。分析材料热应力产生的原因，并通过以Sialon结合后试样抵
选用金属硅、氧化铝微粉和电熔棕刚玉为主要料，通过低的原料成本、简化的工艺和低的烧成温度，在氮气气氛下合成了Ｓｉａｌｏｎ结合刚玉耐火制品，其理化指标已接近或部分超过法国同类产品值，并
该文采用GPS工艺研究了Sialon陶瓷系统中添加AlN的量对致密化、力学性能和显微结构的影响。研究表明，过多的AlN在烧结时形成粘度较大的液相，阻碍了扩散过程，使β-Sialon的定向生
本文以溶胶-凝胶法制备的SiBON纳米粉末为研究对象，研究了在热压烧结过程中，SiBON纳米粉体的烧结行为.实验结果表明:纳米在较低的温度下就已开始烧结,随着烧结温度的升高,粉体
采用凝胶注模法成型SiC基片层，浸涂法成型BN界面层，热压烧结制面层，热压烧结制备了SiC/BN层状复合材料。制备的复合材料宏观结构的均匀，基体片层厚度为130-170μm，界面层厚度为10-
该文提出了一种利用镍硅化物作为中间层，键合硅片的键合方法，退火温度为４４０℃拉力试验，扫描电镜试验和超声波测试表明，键合质量较好，键合面积比例很大。Ａｕｇｅｒ电子能谱和ｘ光衍射分析表明，４４０℃时
以SiC纳米粉和自制的树脂热解炭作原料，采用双重加热这一新技术在较低的俣成温度下、较短的合成时间内制备了直径在10-30NM范围内、长径比在30-100之间、产率达80℅的SiC纳米
研究了氨基脲的电化学制备方法，讨论在２０℅的硫酸溶液中不同电极及不同实验条件对于电流效率的影响，为利用电解法制备肾上腺素红，进而实现安络血的电化学合成提供了有效的参考数据
该文研究了颗粒尺寸分别为0.9μm和6μm的两种SiC粉体形成浆料的流变性质，发现SiC粉体的等电点在pH=4.2处，调节浆料的pH值至9-10可以使SiC颗粒仅仅依靠静电稳定作用形成稳定浆