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该文提出了一种利用镍硅化物作为中间层，键合硅片的键合方法，退火温度为４４０℃拉力试验，扫描电镜试验和超声波测试表明，键合质量较好，键合面积比例很大。Ａｕｇｅｒ电子能谱和ｘ光衍射分析表明，４４０℃时生成的硅化物为ＮｉＳｉ。键合硅片对接触特性较好。
低温镍硅化物硅直接键合
【摘 要】
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该文提出了一种利用镍硅化物作为中间层，键合硅片的键合方法，退火温度为４４０℃拉力试验，扫描电镜试验和超声波测试表明，键合质量较好，键合面积比例很大。Ａｕｇｅｒ电子能谱和ｘ光衍射分析表明，４４０℃时
【机 构】
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大学微电子学研究所
【出 处】
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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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1997年期
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