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氢化微晶硅薄膜由于在薄膜太阳电池中的应用潜力而受到人们的普遍关注。但是传统的化学气相沉积等方法制各的微晶硅薄膜存在一些不足：如薄膜生长速率较低；而且沿薄膜生长方向存在较为严重的结构不均匀性，尤其是当薄膜沉积在非晶衬底上时，薄膜与衬底界面处难以避免地形成一层非晶过渡层，即所谓的孵化层。孵化层的存在增大了器件内阻从而对器件载流子输运影响较大。依据上述背景，本研究采用自主研发的喷射型电感祸合等离子体化学气相沉积系统(Jet-ICPCVD)制备了微晶硅薄膜。本文主要研究微晶硅薄膜孵化层结构的演化。