GaAs HBT电子辐照效应研究

来源 :第十七届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liuligen
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在宇宙空间存在由各种高能质子、高能电子、X射线、中子、γ射线等组成的宇宙射线。为提高电子器件在各种辐照环境下的生存能力和可靠性,确保电子设备在辐照环境下正常工作,必须开展电子器件的辐照效应研究。电子辐照后,GaAs HBT的基极电流增加,集电极电流减少,电流增益减少;残余电压、膝点电压增加,发射结和集电结导通电压减少,击穿电压增加。
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