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采用以钼酸铵为原料的溶胶－凝胶法，在Ａｌ〈，２〉Ｏ〈，３〉陶瓷基片上合成主晶相为ＭｏＯ〈，２〉的半导体陶瓷薄膜。其表面电阻率为数十Ω／□，在室温￣７００℃范围，电阻率随温度的变化极其平缓。
MoO<,2>陶瓷薄膜的电阻-温度特性
【摘 要】
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采用以钼酸铵为原料的溶胶－凝胶法，在Ａｌ〈，２〉Ｏ〈，３〉陶瓷基片上合成主晶相为ＭｏＯ〈，２〉的半导体陶瓷薄膜。其表面电阻率为数十Ω／□，在室温￣７００℃范围，电阻率随温度的变化极其平缓。
【机 构】
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大学材料系
【出 处】
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第九届全国特种陶瓷学术年会
【发表日期】
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1996年期
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