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利用透射电镜分析了采用ＬＰＣＶＤ法生长的ＳｉＮ〈，Ｘ〉膜的微观结构与薄膜应力之间的关系，首次报导了利用ＬＰＣＶＤ方法生长的ＳｉＮ〈，Ｘ〉膜中存在着微观的取向结构，并通过ＳｉＮ〈，Ｘ〉的背腐蚀结果确定该结构与ＳｉＮ〈，Ｘ〉膜的应力有关。
氮化硅膜的微观结构与应力分析
【摘 要】
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利用透射电镜分析了采用ＬＰＣＶＤ法生长的ＳｉＮ〈，Ｘ〉膜的微观结构与薄膜应力之间的关系，首次报导了利用ＬＰＣＶＤ方法生长的ＳｉＮ〈，Ｘ〉膜中存在着微观的取向结构，并通过ＳｉＮ〈，Ｘ〉的背腐蚀结果确定该结构与ＳｉＮ〈，Ｘ〉膜的
【机 构】
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科学院微电中心(北京)
【出 处】
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第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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1999年期
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