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利用RIE技术实施光刻胶图形到衬底上的转移，分析刻蚀气氛、刻蚀功率等对氮化硅薄膜刻蚀的影响.实验结果表明，刻蚀气体采用CHF3，刻蚀RJE功率为120 W、ICP功率为500W时的刻蚀效果较好，可得到较为理想的刻蚀速率，刻蚀后表面残余光刻胶容易湿法去除，徽图形表面平整.
氮化硅介质薄膜的反应离子刻蚀研究
【摘 要】
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利用RIE技术实施光刻胶图形到衬底上的转移，分析刻蚀气氛、刻蚀功率等对氮化硅薄膜刻蚀的影响.实验结果表明，刻蚀气体采用CHF3，刻蚀RJE功率为120 W、ICP功率为500W时的刻蚀效果
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054
【出 处】
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第十三届全国电介质物理、材料与应用学术会议
【发表日期】
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2010年11期
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