烧结温度对La3+、Nb5+复合掺杂PZT陶瓷微观结构和电性能的影响

• 作 者: 杨涛 文忠 谌青青 高扬 杨成韬
• 机 构: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054
• 出 处: 第十三届全国电介质物理、材料与应用学术会议
• 发表日期: 2010年11期
• 关键词: 压电性能 压电陶瓷 介电性能 烧结温度 一次固相合成法

采用一次固相合成法制备TPZT-2％La2O3-0.5％Nb2O5压电陶瓷，研究了烧结温度对压电陶瓷体积密度，线性结构、微现形貌，介电性能和压电性能的影响.结果表明，当烧结温度为1 200℃时，压电陶瓷在准同型相界附近的综合性能达到最佳状态.相对介电常数εT33ε0=1 600，介电损耗tanδ=1.7％，机电耦合系数kp=0.59，品质因数Qm=2 746，压电常数d33=436 pC／N.