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Two-Dimensional Cross-Sectional Doping Profiling Study of Advanced CMOS Devices Using Electron Holog
【机 构】
：
Process R/D Department, Micron Technology, Inc., Boise, ID, U.S.A
【出 处】
：
The 11th International Workshop on Plasma-Based Ion Implanta
【发表日期】
：
2011年期
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