SRAM中动态电压控制低漏流技术

来源 :第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’) | 被引量 : 0次 | 上传用户：yatang

【摘要】

：

一般来说,芯片功耗大部分来自于片上存储器,因此降低存储器功耗成为芯片低功耗设计的首要目标.本文分析了动态电压调节技术,根据工作状态的不同改变SRAM单元的供电电压,在待

【作者】

：

赵亮;马卓;韩龙;陈书明;

【机构】

：

国防科技大学计算机学院长沙 410073

【出处】

：

第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’)

【发表日期】

：

2009年期

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一般来说,芯片功耗大部分来自于片上存储器,因此降低存储器功耗成为芯片低功耗设计的首要目标.本文分析了动态电压调节技术,根据工作状态的不同改变SRAM单元的供电电压,在待机状态下对SRAM进行电压控制以减小静态漏流,在工作状态下进行电压切换保证读写的速度和可靠性,模拟结果显示采用该技术可以有效减小SRAM静态功耗.

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