【摘 要】
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现代集成电路对软错误导致的位翻转越来越敏感,位翻转通常是由α粒子或中子撞击MOS管的漏极引起的.这些位翻转,包括SEU(单粒子翻转),随着工艺的更新换代会变得更加严重,必须
【机 构】
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国防科技大学计算机学院并行与分布处理国防科技重点实验室 长沙 410073
【出 处】
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第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’)
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现代集成电路对软错误导致的位翻转越来越敏感,位翻转通常是由α粒子或中子撞击MOS管的漏极引起的.这些位翻转,包括SEU(单粒子翻转),随着工艺的更新换代会变得更加严重,必须通过加固来增强电路的可靠性.CAM通常应用于快表、网络路由器和图像处理等一些高速领域,CAM的普通加固方法都因延时过大而影响性能.本文对CAM单元中的敏感节点进行了加固,且加固不在CAM的关键路径上,从而设计出几乎不影响性能的抗SEU加固CAM单元.实验表明,本文设计的加固CAM单元仅有1.2％的延时增加却有很高的可靠性.
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