辐照对SiGe HBT增益的影响

来源 :第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：loyal86

【摘要】

：

本文比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益的变化.在Vbe≤0.5 V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的d(β)反而为负,在Vbe≥0.5 V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiG

【作者】

：

孟祥提黄强王吉林贾宏勇陈培毅钱佩信

【机构】

：

清华大学核能与新能源技术研究院,北京,100084

【出处】

：

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2006年期

【关键词】

：

抗辐照性能直流增益 γ射线辐照性能变化电子陷阱高剂量

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本文比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益的变化.在Vbe≤0.5 V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的d(β)反而为负,在Vbe≥0.5 V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.本文参照测得的一些电子陷阱讨论了辐照致性能变化.

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