【摘 要】
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采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×8线列器件,光谱响应范围为0.90-1.70μm,量子效率为73％,
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×8线列器件,光谱响应范围为0.90-1.70μm,量子效率为73％,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为1012 cmHz1/2W-1.
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