【摘 要】
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离子注入技术是一种重要的制备低微量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序量子点.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底
【机 构】
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中国科学院半导体所材料科学重点实验室
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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离子注入技术是一种重要的制备低微量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序量子点.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及退火,获得了均匀有序的量子点,采用原子力显微镜观察了量子点随温度变化的形貌变化特征.观察到注入In离子在衬底的扩散随温度变化而加快,退火温度达630℃,沿[1-10]方向的扩散要比[110]方向扩散要快,而且呈现各向异性.
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