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【机 构】
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市半导体技术研究所
【出 处】
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第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议
【发表日期】
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1995年期
其他文献
用ＵＨＶ／ＣＶＤ法在７８０℃生长了组分渐变的缓冲层及外延层，缓冲层顶层的应变基本上已完全驰豫，最外层ＳｉＧｅ材料的双晶Ｘ射线半高峰宽与单五成分的ＳｉＧｅ外延层比较要低得多，从而提高了外延层的晶体质量。
该文报导了在硅基上用真空反应法生长出了ＧａＮ外延层，利用Ｘ射线衍射仪和投射电镜对外延层和初底处的界面情况进行了研究分析，发现在界面外存在着一层ＧａＮ多晶过渡层，这层过渡层能够有效地