硅上外延SiGe组分渐变缓冲层的双晶X射线研究

• 作 者: 卢焕明 叶志镇 汪雷 黄靖云
• 机 构: 厌这硅材料国家材料国家重点实验室
• 出 处: 1998年全国半导体硅材料学术会议
• 发表日期: 1998年期
• 关键词: 硅上 外延层 组分 缓冲层 晶体质量 最外层 Ｘ射线 峰宽 材料

用ＵＨＶ／ＣＶＤ法在７８０℃生长了组分渐变的缓冲层及外延层，缓冲层顶层的应变基本上已完全驰豫，最外层ＳｉＧｅ材料的双晶Ｘ射线半高峰宽与单五成分的ＳｉＧｅ外延层比较要低得多，从而提高了外延层的晶体质量。