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【摘 要】
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用ＵＨＶ／ＣＶＤ法在７８０℃生长了组分渐变的缓冲层及外延层，缓冲层顶层的应变基本上已完全驰豫，最外层ＳｉＧｅ材料的双晶Ｘ射线半高峰宽与单五成分的ＳｉＧｅ外延层比较要低得多，从而提高了外延层的晶体质量。
【机 构】
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厌这硅材料国家材料国家重点实验室
【出 处】
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1998年全国半导体硅材料学术会议
【发表日期】
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1998年期
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