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氮化镓(GaN)半导体具有宽带隙、高饱和电子漂移速率、高临界击穿电场及通过异质结结构形成高电子密度的二维电子气等材料特性,使其在高温、高频电力电子器件领域具有独特的优势.AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)和GaN金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是GaN场效应晶体管中的典型代表,可应用于无线通信、军事雷达等微波功率器件及汽车逆变器等耐压功率器件，本文研究了适于AlGaN/GaN HFET的02等离子体处理隔离工艺及其氧化机理，制作出具有高导通／关断电流比的HFET器件；开发了GaN MOSFET的B场注入隔离工艺，实现了条形器件的场隔离，并发现同时具有台面和注入的结构有利于降低器件的界面态密度。