【摘 要】
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以AlGaN/GaN HEMT为代表的GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点,成为当前功率器件研究的热点.然而随着AlGaN/GaN HEMT器件所处理电
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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以AlGaN/GaN HEMT为代表的GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点,成为当前功率器件研究的热点.然而随着AlGaN/GaN HEMT器件所处理电压电流值的增加,电流崩塌现象,即AlGaN/GaN HEMT器件在动态下工作时输出电流降低的现象,成为影响AlGaN/GaN HEMT在大功率开关领域应用的重要因素,严重影响着器件的实际应用.研究表明,场板结构对电流崩塌有较好的抑制作用.有较好的抑制作用。本实验采用MIS-HEMT结构，使用LPCVD淀积的SiNx为栅下介质层，使用PECVD淀积的SiNx为场板下介质层，采用了3个厚度(213/430/631nm)，并使用Agilent B1505A电流崩塌模块对器件的电流崩塌进行测定，以对比不同厚度的场板下介质层对电流崩塌影响，其测试原理如Fig.l所示。实验发现场板结构对电流崩塌有明显的抑制作用，且介质层最厚(631nm)的场板结构对电流崩塌有最优的抑制效果。
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