AlN/GaN HEMT毫米波特性研究

• 作 者: Peng Xu 徐鹏 Shaobo Dun 敦少博 Yuanjie Lu 吕元杰 Guodong Gu 顾国栋 Yulong Fang 房玉龙 Zhihong Feng 冯志红
• 机 构: Science and Technology on ASIC Laboratory, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, 050
• 出 处: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2012年11期
• 关键词: 场效应器件 高电子迁移率晶体管 毫米波特性 栅宽设计

　　本文测试了SiC衬底,0.2μm栅长的AlN/GaN HEMT器件的小信号S参数。对比不同栅宽器件的频率特性,发现fmax随器件栅宽的增加而下降,且下降趋势与栅宽的-0.5次幂相关。提取不同栅宽器件的本征参数,发现栅宽增加,本征电容上升,输出电阻Rds下降,这两个因素导致了器件的fmax下降。分析了fmax随栅宽变化的规律,为今后毫米波GaN MMIC中GaN HEMT器件的栅宽设计提供了实验数据支持和理论指导。