沟道层厚度对室温下制备In2O3薄膜晶体管器件性能的影响

来源 :第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chunling329

【摘要】

：

在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,本文对沟道层厚度对底栅式In2O3薄膜晶体管的电学性质的影响进行了讨论.经验证器件的特性与沟道层厚度有关。最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2V,开关电流比为约106,场效应迁移率为6.2cm2V-1s-1。

【作者】

：

Yang Jiao 焦洋 Xin'an Zhang 张新安 Linghong Ding 丁玲红 Weifeng Zhang 张伟风

【机构】

：

School of Physics and Electronics, Institute of Microsystem, Key Laboratory of Photovoltaic Material

【出处】

：

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2012年11期

【关键词】

：

薄膜晶体管氧化铟半导体沟道层厚度电学特性

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