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GaSb的禁带宽度是0.72eV，为低禁带半导体，是红外探测器和光伏电池的主要材料。用传统的方法获得GaSb电池的代价很高。本文采用共蒸发的方法在衬底上成功制备Gasb薄膜。分别对在相同蒸发源反应温度，不同衬底上得到的GaSb薄膜以及相同村底，不同蒸发源反应温度下得到的薄膜分别进行XRD以及红外光谱分析，得出不同衬底和温度的变化对薄膜择优取向和晶粒尺寸的影响，寻求制备GaSb薄膜的最佳条件。