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本文通过数值分析，计算模拟了单晶硅电池在低倍聚光下的发射极的电流密度和电势分布，在计算中考虑了发射极电流密度的不均匀性，并与假设电流密度均匀的近似算法做比较，发现在1个太阳的光照下，两种方法的计算结果几乎相同。但是随着聚光倍数的增加，区别会变大。并且基于这种模型，计算了低倍聚光下，栅线设计与薄层方块电阻对发射级内电流密度及电势的影响，为设计低倍聚光电池提供理论参考。