二步法制备太阳能电池吸收层材料SnS薄膜的研究

• 作 者: 江丰;沈鸿烈;刘斌;高超;沈州;
• 机 构: 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京 210016
• 出 处: 第十一届中国光伏大会暨展览会
• 发表日期: 2010年期

在玻璃衬底上溅射200 nm厚的Sn膜，然后在硫化炉中220℃分别硫化15、30、45、60 min形成SnS薄膜。采用X射线衍射，扫描电子显微镜，热探针和分光光度计测试等方法进行观察和分析测试。结果表明制备的SnS薄膜为多晶的正交结构，所有SnS薄膜均为p型导电。根据光透射和反射谱进行的计算结果，在200～2 500 nm波长范围内吸收系数都>104cm-1，SnS薄膜的直接带隙大约在1.23 ev左右，适合做太阳能电池的吸收层。