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利用磁控溅射技术，干法制备了Cu(In，Ga)Se2(CIGs)薄膜太阳能电池的鉬电极、吸收层、缓冲层、窗口层和上透明电极。用XRD、SEM对薄膜的晶体结构和表面形貌进行了袁征，用台阶仪测量薄膜的厚度，对薄膜材料的I-V特性和光谱响应，也作了初步的研究。经过反复实验优化了仪器的工作参数，为CIGS薄膜太阳能电池的工业化生产奠定基础。