氢离子注入Ge晶片损伤的演化行为研究

• 作 者: 姜海涛 狄增峰 薛忠营 张苗 王曦
• 机 构: 中国科学院上海微系统研究所信息功能材料实验室,上海 200050
• 出 处: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
• 发表日期: 2011年期
• 关键词: 氢离子注入 晶片 损伤 演化 应力 退火处理 注入剂量 演变规律

　　为了深入了解Ge经氢离子注入后的剥离特性，实验研究了Ge经注入剂量分别为1×1016/cm2、3×1016/cm2和5×1016/cm2的氢离子注入，并经过系列退火处理，并详细研究了氢离子注入所引起的应力、缺陷及在退火处理下的演变规律。研究表明：片状缺陷由注入时的10～20nm，逐渐长大为微裂，并最终导致锗剥离。HRXRD表明离子注入引起晶格畸变而产生应力，退火温度上升，应力减小，当退火高于250℃时，应力消失。