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随着器件特征尺寸的不断缩小，栅氧化层的厚度也随之不断减小，薄栅介质的可靠性成为研究的重点之一。综述了薄栅氧器件的击穿机理、物理模型和栅氧寿命的数学模型。
薄栅氧损伤机理研究
【摘 要】
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随着器件特征尺寸的不断缩小，栅氧化层的厚度也随之不断减小，薄栅介质的可靠性成为研究的重点之一。综述了薄栅氧器件的击穿机理、物理模型和栅氧寿命的数学模型。
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京 100029
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2011年期
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