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来源 :第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
基于商用RPCVD设备结构参数,建立了RPCVD反应室结构模型;基于反应室模型,计算了雷诺数Re,确定了RPCVD的流体模型;采用FLUENT软件,模拟了RPCVD反应室的温度场、密度场、速度场,并
【作 者】
:
戴显英
竹毅初
邵晨峰
吉瑶
郭静静
宁静
郝跃
张鹤鸣
王晓晨
李志
王琳
查冬
【机 构】
:
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071
【出 处】
:
第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
:
2011年11期
【关键词】
:
锗硅异质结材料
减压化学汽相淀积
计算流体动力学
模拟仿真
工艺优化
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