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对使用磷离子注入方式的轻掺杂多晶硅进行试验，研究了注入剂量、退火温度、退火时间、后续热处理过程于高阻多晶硅电学特性的关系。采取一定的工艺手段来控制后续热处理工艺对高阻多晶硅电阻的影响。
高阻多晶硅电阻的研究与实现
【摘 要】
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对使用磷离子注入方式的轻掺杂多晶硅进行试验，研究了注入剂量、退火温度、退火时间、后续热处理过程于高阻多晶硅电学特性的关系。采取一定的工艺手段来控制后续热处理工
【机 构】
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清华大学 微电子所,北京 100084 中电华清微电子中心
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年期
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