半导体分段温差电元件的设计

来源 :第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:oicq35952268
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  分段温差电元件能够在较宽的温度范围内提高热电转换效率。本文对锗硅(SiGe)、碲化铅(PbTe)材料和碲化铋(Bi2Te3)材料组成的分段温差电元件进行了理论设计和计算。确定了在热面温度为1073K、冷面温度为323K,元件总长度为20mm时,锗硅材料的最佳长度为13.4mm,PbTe材料的最佳长度为4.1mm。测试结果表明,由设计的元件制作出的分段温差电单偶其热电转换效率达到6.71%。
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