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采用溶胶凝胶法，制备了以BZN薄膜为栅介质的GaN基MIS结构，测试分析了MIS结构样品的表面形貌、薄膜厚度、高频C-V曲线。在实验数据的基础上，得到BZN薄膜相对介电常数为91,CaN基MIS结构强反型电压为-3.4V。相对于传统的介质材料，BZN薄膜具有较高的的介电常数，可以降低GaN基MIS结构器件的阈值电压。