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本文利用传统的共蒸发三步法制备了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过优化金属镓(Ga)的蒸发温度,得到了合适的Ga的梯度分布,从而使电池的开路电压Voc在提高的同时,最大限度地减小了Jsc的损失。
优化后薄膜表面的结晶情况得到改善,电池的结界面和二极管特性也得到相应的提高。量子效率测试发现,优化后的CIGS太阳电池在较长波段中(520~1 100 nm)的光子吸收损失大大减小。